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　　昆山光微電子有限公司主要致力于非制冷紅外熱成像核心技術焦平面探測器陣列的研究。為促進研發(fā)工作的順利開展，公司針對非制冷紅外成像芯片幾個關鍵的后端工藝，配備了250平米的千級凈化間，該凈化間采用了國際先進的層流罩+FFU技術實現(xiàn)凈化功能，主要服務于MEMS加工技術研發(fā)和芯片生產(chǎn)工藝開發(fā)。同時公司還添置了芯片關鍵工藝技術的釋放工藝流程所需設備：XeF2刻蝕機及其配套設備、濕法腐蝕及清洗設備、光學顯微鏡、晶片烘干設備、通風潔凈清洗系統(tǒng)和超純水設備等，基本滿足了該芯片的后端釋放工藝。建成至今，公司研發(fā)人員在此工藝線上已成功完成了近10批次的釋放工藝流片。